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兆易创新持续高额投入研发 DRAM相关产品有望明年上市

放大字体 缩小字体 发布日期:2020-11-25 18:08:03   浏览次数:79
核心提示:2020年11月25日关于兆易创新持续高额投入研发 DRAM相关产品有望明年上市的最新消息:财报显示,兆易创新营收净利仍然保持两位数的高增长。今年前三季度,兆易创新营收、净利双增长。1-9月,实现营业收入31.74亿元,同比增长44.02%;实现归母净利润6.73亿元,同


财报显示,兆易创新营收净利仍然保持两位数的高增长。

今年前三季度,兆易创新营收、净利双增长。1-9月,实现营业收入31.74亿元,同比增长44.02%;实现归母净利润6.73亿元,同比增长49.65%。Q3单季,营收达到15.2亿元,同比增长51.35%;归母净利润3.1亿元,同比增长18.12%。兆易创新在财报中表示:「由于市场需求同比增加、新产品的量产销售以及新客户拓展,存储器、微控制器以及传感器业务均有所增加。」。

据证券时报消息,备受业界关注的兆易创新存储器领域DRAM项目募资工作近期也已经完成,这个项目的成功实施将有望为兆易创新带来新的业绩增长点。

兆易创新核心产品线为FLASH闪存芯片、32位通用型MCU,以及智能人机交互传感器芯片及整体解决方案。

持续高额投入研发 DRAM产品有望明年上市

成立已十余年的兆易创新,在存储器领域已处于行业龙头地位,这背后是其持续多年在研发方面的高额投入。

据悉,2020年上半年,兆易创新研发费用为2.21亿元,同比增长57.95%。

高投入带来高产出,2020年上半年,兆易创新共申请了28项国内外专利,同期新获得的专利授权也有49项。

截止2020年6月30日,兆易创新已获得的授权专利已达638项。

兆易创新的存储器产品主要分为NOR、NAND和DRAM。兆易创新代理总经理何卫告诉行业媒体,其55nm NOR Flash存储器已经实现量产,且产能不断提升将逐渐替换65nm产品,因此明年55nm产品占比会不断提升,24nm NAND产品也已进入量产导入阶段,而DRAM项目则已经完成募资,未来将覆盖不同容量设计,DRAM产品有望明年上市。

早在2019年9月,兆易创新就发布了非公开发行股票预案,拟募集资金超43亿元人民币,用于DRAM芯片自主研发产业化项目,并为公司补充流动资金。据悉,若该项目成功实施,将实现国内存储芯片设计企业在DRAM领域的突破。

对于DRAM项目在研发方面的最新进展,兆易创新董秘李红表示,「一般而言一个项目研发需要3年才能出成果,兆易创新的DRAM已经研发了两年多,明年或有产品上市。」「目前兆易创新DRAM主要针对消费电子、工业控制和汽车电子领域,根据这些领域应用不同,主要以DDR3、DDR4和LPDDR3、LPDDR4为主,容量上主要是8G以下的产品。」

兆易创新的MCU产品主要是基于ARMCortex-M系列的32位通用MCU产品,2019年8月也推出了「全球首颗基于RISC-V内核的32位通用MCU产品」。何卫表示,目前,兆易创新在采用业界先进的40nm工艺来实现低功耗、高性能的产品设计。同时也在加强信号链、信号管理、模拟信号等产品开发和设计。


 
关键词: 创新 亿元 产品

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