兆易创新持续高额投入研发 DRAM相关产品有望明年上市

财报显示，兆易创新营收净利仍然保持两位数的高增长。

今年前三季度，兆易创新营收、净利双增长。1-9月，实现营业收入31．74亿元，同比增长44．02%；实现归母净利润6．73亿元，同比增长49．65%。Q3单季，营收达到15．2亿元，同比增长51．35%；归母净利润3．1亿元，同比增长18．12%。兆易创新在财报中表示：「由于市场需求同比增加、新产品的量产销售以及新客户拓展，存储器、微控制器以及传感器业务均有所增加。」。

据证券时报消息，备受业界关注的兆易创新存储器领域DRAM项目募资工作近期也已经完成，这个项目的成功实施将有望为兆易创新带来新的业绩增长点。

兆易创新核心产品线为FLASH闪存芯片、32位通用型MCU，以及智能人机交互传感器芯片及整体解决方案。

持续高额投入研发 DRAM产品有望明年上市

成立已十余年的兆易创新，在存储器领域已处于行业龙头地位，这背后是其持续多年在研发方面的高额投入。

据悉，2020年上半年，兆易创新研发费用为2．21亿元，同比增长57．95%。

高投入带来高产出，2020年上半年，兆易创新共申请了28项国内外专利，同期新获得的专利授权也有49项。

截止2020年6月30日，兆易创新已获得的授权专利已达638项。

兆易创新的存储器产品主要分为NOR、NAND和DRAM。兆易创新代理总经理何卫告诉行业媒体，其55nm NOR Flash存储器已经实现量产，且产能不断提升将逐渐替换65nm产品，因此明年55nm产品占比会不断提升，24nm NAND产品也已进入量产导入阶段，而DRAM项目则已经完成募资，未来将覆盖不同容量设计，DRAM产品有望明年上市。

早在2019年9月，兆易创新就发布了非公开发行股票预案，拟募集资金超43亿元人民币，用于DRAM芯片自主研发产业化项目，并为公司补充流动资金。据悉，若该项目成功实施，将实现国内存储芯片设计企业在DRAM领域的突破。

对于DRAM项目在研发方面的最新进展，兆易创新董秘李红表示，「一般而言一个项目研发需要3年才能出成果，兆易创新的DRAM已经研发了两年多，明年或有产品上市。」「目前兆易创新DRAM主要针对消费电子、工业控制和汽车电子领域，根据这些领域应用不同，主要以DDR3、DDR4和LPDDR3、LPDDR4为主，容量上主要是8G以下的产品。」

兆易创新的MCU产品主要是基于ARMCortex-M系列的32位通用MCU产品，2019年8月也推出了「全球首颗基于RISC-V内核的32位通用MCU产品」。何卫表示，目前，兆易创新在采用业界先进的40nm工艺来实现低功耗、高性能的产品设计。同时也在加强信号链、信号管理、模拟信号等产品开发和设计。