蚀刻机的基础原理
一、蚀刻的目的
蚀刻的目的即是将前工序所做出有图形的线路板上的未受保护的非导体部分铜蚀刻去，形成线路。
蚀刻有内层蚀刻和外层蚀刻，内层采用酸性蚀刻，湿膜或干膜为抗蚀剂；外层采用碱性蚀刻，锡铅为抗蚀剂。
二、蚀刻反应基本原理
1．酸性氯化铜蚀刻液
①．特性
-蚀刻速度容易控制，蚀刻液在稳定状态下能达到高的蚀刻质量
-蚀铜量大
-蚀刻液易再生和回收
②．主要反应原理
蚀刻过程中，Cu2+有氧化性，将板面铜氧化成Cu+：Cu+CuCl2→2CuCl
生成的CuCl不溶于水，在过量的氯离子存在下，生成可溶性的络离子：
2CuCl+4Cl-→2[CuCl3]2-
随着反应的进行,Cu+越来越多，蚀铜能力下降，需对蚀刻液再生，使Cu+变成Cu2+。再生的方法有以下几种：通氧气或压缩空气再生(反应速率低)，氯气再生(反应快，但有毒)，电解再生(可直接回收铜，但需电解再生的设备和较高的电能消耗)，次氯酸钠再生(成本高,本身较危险)，双氧水再生(反应速率快，易控制)．
反应:2CuCl+2HCl+H2O2→2CuCl2+2H2O
自动控制添加系统：通过控制蚀刻速度，双氧水和盐酸的添加比例,比重和液位，温度等项目，达到自动连续生产。
