先说个冷笑话，IGBT，不是LGBT，不是性少数群体的意思……好了，回到正题。
IGBT晶体管，英文全称是「Insulated Gate Bipolar Transistor」，中文名叫「绝缘栅双极晶体管」。
IGBT晶体管是半导体器件的一种，主要被用于电动汽车、铁路机车及动车组的交流电电动机的输出控制等领域。
IGBT晶体管是由BJT（双极型晶体或双极性晶体管，俗称三极管）和MOSFET（绝缘栅型场效应管，也叫IGFET，Insulated Gate Field Effect Transister）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，它兼有MOSFET的驱动电流小，以及BJT导通电阻低两方面的优点（传统的BJT导通电阻小，但是驱动电流大，而MOSFET的导通电阻大，却驱动电流小）。
正是由于IGBT晶体管结合了MOSFET的高电流单栅控制特性及BJT的低饱和电压的能力，在单一的IGBT器件里，会通过过把一个隔离的FET（场效应晶体管）结合，作为其控制输入，并以BJT作开关。
IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。
实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏沟道，而这个沟道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高耐压的器件上，功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。较低的压降，转换成一个低VCE(sat)的能力，以及IGBT的结构，同一个标准双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图。
